====== Technologie CMOS (architektura) ====== **Architektura CMOS** je založena na symetrickém a doplňkovém párování tranzistorů typu P (PMOS) a typu N (NMOS). Tento koncept zajišťuje, že digitální obvody pracují s vysokou efektivitou a odebírají energii téměř výhradně pouze během změny logického stavu (přepínání). ===== 1. Základní princip architektury ===== Každé hradlo v architektuře CMOS je rozděleno na dvě hlavní části (sítě): * **PUN (Pull-Up Network):** Síť tvořená tranzistory **PMOS**. Je připojena k napájecímu napětí ($V_{dd}$). Jejím úkolem je "vytáhnout" výstup na logickou 1. * **PDN (Pull-Down Network):** Síť tvořená tranzistory **NMOS**. Je připojena k zemi ($GND$). Jejím úkolem je "stáhnout" výstup na logickou 0. ==== Klíčové pravidlo: ==== V libovolném okamžiku (kromě extrémně krátkého přechodového jevu) je **vždy jedna síť rozpojená a druhá spojená**. To znamená, že mezi napájením a zemí nikdy nevznikne přímá cesta pro elektrický proud. --- ===== 2. Logické funkce v CMOS ===== Architektura CMOS umožňuje snadnou realizaci všech základních logických operací: ==== Invertor (Hradlo NOT) ==== Nejjednodušší architektura: jeden PMOS v horní síti a jeden NMOS v dolní síti. * **Vstup 0:** PMOS vede, NMOS ne. Výstup je spojen s $V_{dd}$ (Logická 1). * **Vstup 1:** NMOS vede, PMOS ne. Výstup je spojen s $GND$ (Logická 0). ==== Hradlo NAND ==== V síti PUN (horní) jsou tranzistory zapojeny **paralelně**, v síti PDN (dolní) **sériově**. * Výstup je 0 pouze tehdy, když jsou oba spodní NMOS tranzistory sepnuty (oba vstupy jsou 1). ==== Hradlo NOR ==== V síti PUN jsou tranzistory zapojeny **sériově**, v síti PDN **paralelně**. * Výstup je 1 pouze tehdy, když jsou oba horní PMOS tranzistory sepnuty (oba vstupy jsou 0). --- ===== 3. Charakteristické vlastnosti architektury ===== * **Statická spotřeba:** Teoreticky nulová. Ve skutečnosti existuje velmi malý svodový proud (leakage current), ale v porovnání se staršími technologiemi (např. TTL) je zanedbatelný. * **Dynamická spotřeba:** Energie se spotřebovává pouze při nabíjení a vybíjení parazitních kapacit během přepínání. Proto spotřeba procesorů roste s frekvencí (MHz/GHz). * **Logické úrovně:** Výstupní napětí dosahuje plných hodnot napájecího napětí nebo země, což zajišťuje vynikající odolnost proti šumu. --- ===== 4. Architektonické výzvy moderní doby ===== S klesající velikostí tranzistorů (pod 10 nm) naráží klasická CMOS architektura na limity: * **Short-channel effects:** Tranzistory se stávají hůře ovladatelnými. * **Tepelná bariéra:** Protože dynamická spotřeba roste s frekvencí, narazili jsme na "zeď" kolem 4–5 GHz, kterou nelze běžně uchladit. * **Řešení:** Přechod na 3D struktury jako **FinFET** nebo **GAAFET** (Gate-All-Around), které modifikují fyzickou architekturu samotného MOSFETu. ---- //Související články:// * [[it:hw:mosfet|MOSFET – Základní prvek CMOS]] * [[it:math:logic|Digitální logika a hradla]] * [[it:hw:cpu_manufacturing|Výroba procesorů]] //Tagy: {{tag>hw electronics cmos architecture semiconductor digital-design}}//