Architektura CMOS je založena na symetrickém a doplňkovém párování tranzistorů typu P (PMOS) a typu N (NMOS). Tento koncept zajišťuje, že digitální obvody pracují s vysokou efektivitou a odebírají energii téměř výhradně pouze během změny logického stavu (přepínání).

Každé hradlo v architektuře CMOS je rozděleno na dvě hlavní části (sítě):

• PUN (Pull-Up Network): Síť tvořená tranzistory PMOS. Je připojena k napájecímu napětí ($V_{dd}$). Jejím úkolem je „vytáhnout“ výstup na logickou 1.
• PDN (Pull-Down Network): Síť tvořená tranzistory NMOS. Je připojena k zemi ($GND$). Jejím úkolem je „stáhnout“ výstup na logickou 0.

V libovolném okamžiku (kromě extrémně krátkého přechodového jevu) je vždy jedna síť rozpojená a druhá spojená. To znamená, že mezi napájením a zemí nikdy nevznikne přímá cesta pro elektrický proud.

—

Architektura CMOS umožňuje snadnou realizaci všech základních logických operací:

Nejjednodušší architektura: jeden PMOS v horní síti a jeden NMOS v dolní síti.

• Vstup 0: PMOS vede, NMOS ne. Výstup je spojen s $V_{dd}$ (Logická 1).
• Vstup 1: NMOS vede, PMOS ne. Výstup je spojen s $GND$ (Logická 0).

V síti PUN (horní) jsou tranzistory zapojeny paralelně, v síti PDN (dolní) sériově.

• Výstup je 0 pouze tehdy, když jsou oba spodní NMOS tranzistory sepnuty (oba vstupy jsou 1).

V síti PUN jsou tranzistory zapojeny sériově, v síti PDN paralelně.

• Výstup je 1 pouze tehdy, když jsou oba horní PMOS tranzistory sepnuty (oba vstupy jsou 0).

—

• Statická spotřeba: Teoreticky nulová. Ve skutečnosti existuje velmi malý svodový proud (leakage current), ale v porovnání se staršími technologiemi (např. TTL) je zanedbatelný.
• Dynamická spotřeba: Energie se spotřebovává pouze při nabíjení a vybíjení parazitních kapacit během přepínání. Proto spotřeba procesorů roste s frekvencí (MHz/GHz).
• Logické úrovně: Výstupní napětí dosahuje plných hodnot napájecího napětí nebo země, což zajišťuje vynikající odolnost proti šumu.

—

S klesající velikostí tranzistorů (pod 10 nm) naráží klasická CMOS architektura na limity:

• Short-channel effects: Tranzistory se stávají hůře ovladatelnými.
• Tepelná bariéra: Protože dynamická spotřeba roste s frekvencí, narazili jsme na „zeď“ kolem 4–5 GHz, kterou nelze běžně uchladit.
• Řešení: Přechod na 3D struktury jako FinFET nebo GAAFET (Gate-All-Around), které modifikují fyzickou architekturu samotného MOSFETu.

Související články:

• MOSFET – Základní prvek CMOS
• Digitální logika a hradla
• Výroba procesorů

Tagy: hw electronics cmos architecture semiconductor digital-design